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STF40N60M2

STF40N60M2

僅供參考

型號 STF40N60M2
PNEDA編號 STF40N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,963
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF40N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF40N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF40N60M2, STF40N60M2數據表 (總頁數: 18, 大小: 882.16 KB)
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STF40N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs88mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs57nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2500pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)40W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13.5mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

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安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Ta), 170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.35V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

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-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

1560W (Tc)

工作溫度

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