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STF7LN80K5

STF7LN80K5

僅供參考

型號 STF7LN80K5
PNEDA編號 STF7LN80K5
描述 MOSFET N-CH 800V 5A TO-220FP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,692
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STF7LN80K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STF7LN80K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STF7LN80K5, STF7LN80K5數據表 (總頁數: 13, 大小: 402.41 KB)
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STF7LN80K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)25W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220FP
包裝/箱TO-220-3 Full Pack

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30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-264AA (IXFK)

包裝/箱

TO-264-3, TO-264AA

AUIRFS8408-7TRL

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

240A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

315nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

294W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4370pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta), 214W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

制造商

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系列

TrenchMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4633pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

211W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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2300pF @ 25V

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-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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