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STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B

僅供參考

型號 STG3P2M10N60B
PNEDA編號 STG3P2M10N60B
描述 IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STG3P2M10N60B資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STG3P2M10N60B
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
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STG3P2M10N60B規格

制造商STMicroelectronics
系列SEMITOP®
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)19A
功率-最大56W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 7A
當前-集電極截止(最大值)10µA
輸入電容(Cies)@ Vce0.72nF @ 25V
輸入Single Phase Bridge Rectifier
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SEMITOP®2
供應商設備包裝SEMITOP®2

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輸入電容(Cies)@ Vce

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輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

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輸入電容(Cies)@ Vce

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