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STGB10H60DF

STGB10H60DF

僅供參考

型號 STGB10H60DF
PNEDA編號 STGB10H60DF
描述 IGBT 600V 20A 115W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 12,246
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB10H60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB10H60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB10H60DF, STGB10H60DF數據表 (總頁數: 24, 大小: 1,730.11 KB)
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STGB10H60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)40A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 10A
功率-最大115W
開關能量83µJ (on), 140µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用57nC
25°C時的Td(開/關)19.5ns/103ns
測試條件400V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)107ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

功率-最大

1040W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

-/142ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 100A

功率-最大

714W

開關能量

3.7mJ (on), 1.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

625nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/265ns

測試條件

400V, 100A, 3.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

267W

開關能量

1.16mJ (on), 280µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

35nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/37ns

測試條件

400V, 40A, 6Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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