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STGB30H60DF

STGB30H60DF

僅供參考

型號 STGB30H60DF
PNEDA編號 STGB30H60DF
描述 IGBT 600V 60A 260W D2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,600
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB30H60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB30H60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB30H60DF, STGB30H60DF數據表 (總頁數: 24, 大小: 1,944.67 KB)
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STGB30H60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)60A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 30A
功率-最大260W
開關能量350µJ (on), 400µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用105nC
25°C時的Td(開/關)50ns/160ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)110ns
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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68A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 40A

功率-最大

200W

開關能量

550µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/190ns

測試條件

480V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.02V @ 15V, 30A

功率-最大

321W

開關能量

1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

234nC

25°C時的Td(開/關)

-/233ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

STMicroelectronics

系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

260W

開關能量

185µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/175ns

測試條件

390V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

85ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

320A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.35V @ 15V, 40A

功率-最大

260W

開關能量

1.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

420nC

25°C時的Td(開/關)

-/360ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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