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STGB5H60DF

STGB5H60DF

僅供參考

型號 STGB5H60DF
PNEDA編號 STGB5H60DF
描述 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 14,988
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGB5H60DF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGB5H60DF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGB5H60DF, STGB5H60DF數據表 (總頁數: 31, 大小: 695.42 KB)
PDFSTGP5H60DF數據表 封面
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STGB5H60DF規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)10A
電流-集電極脈沖(Icm)20A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.95V @ 15V, 5A
功率-最大88W
開關能量56µJ (on), 78.5µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用43nC
25°C時的Td(開/關)30ns/140ns
測試條件400V, 5A, 47Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)134.5ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供應商設備包裝D2PAK

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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50A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 30A

功率-最大

200W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 15A

功率-最大

294W

開關能量

1.2mJ (on), 370µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

109nC

25°C時的Td(開/關)

64ns/128ns

測試條件

600V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

FGH40N60UFDTU

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.19mJ (on), 460µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

24ns/112ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

45ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

76A

電流-集電極脈沖(Icm)

152A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 39A

功率-最大

200W

開關能量

4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

110nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/250ns

測試條件

480V, 39A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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輸入類型

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25°C時的Td(開/關)

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