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STGE200NB60S

STGE200NB60S

僅供參考

型號 STGE200NB60S
PNEDA編號 STGE200NB60S
描述 IGBT N-CHAN 150A 600V ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGE200NB60S資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGE200NB60S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
STGE200NB60S, STGE200NB60S數據表 (總頁數: 13, 大小: 271.11 KB)
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STGE200NB60S規格

制造商STMicroelectronics
系列PowerMESH™
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大600W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.6V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)500µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.56nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝ISOTOP

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.53nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.34nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

480A

功率-最大

1470W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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功率-最大

40.5W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

330pF @ 25V

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Standard

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Yes

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