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STGW40H65DFB

STGW40H65DFB

僅供參考

型號 STGW40H65DFB
PNEDA編號 STGW40H65DFB
描述 IGBT 650V 80A 283W TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 14,646
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGW40H65DFB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGW40H65DFB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGW40H65DFB, STGW40H65DFB數據表 (總頁數: 17, 大小: 961.45 KB)
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STGW40H65DFB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 40A
功率-最大283W
開關能量498µJ (on), 363µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)40ns/142ns
測試條件400V, 40A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)62ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

57A

電流-集電極脈沖(Icm)

114A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 33A

功率-最大

200W

開關能量

1.8mJ (on), 19.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

167nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/845ns

測試條件

960V, 33A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

128A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

278W

開關能量

1.18mJ (on), 200µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

47nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/71ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

137ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 12A

功率-最大

75W

開關能量

5.4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

15ns/680ns

測試條件

960V, 12A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

功率-最大

187W

開關能量

1.17mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

165nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/207ns

測試條件

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

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