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STGWA60H65DFB

STGWA60H65DFB

僅供參考

型號 STGWA60H65DFB
PNEDA編號 STGWA60H65DFB
描述 IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,684
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 21 - 四月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWA60H65DFB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWA60H65DFB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGWA60H65DFB, STGWA60H65DFB數據表 (總頁數: 19, 大小: 1,574.09 KB)
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STGWA60H65DFB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 60A
功率-最大375W
開關能量1.59mJ (on), 900µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用306nC
25°C時的Td(開/關)66ns/210ns
測試條件400V, 60A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)60ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 Long Leads

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電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 10A

功率-最大

298W

開關能量

320µJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

23ns/165ns

測試條件

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反向恢復時間(trr)

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Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電流-集電極脈沖(Icm)

16A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 4A

功率-最大

56W

開關能量

35µJ (on), 75µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

9nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/65ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

5V @ 4V, 150A

功率-最大

1.2W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

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-

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工作溫度

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Surface Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 25A

功率-最大

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1.5mJ (on), 950µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

220nC

25°C時的Td(開/關)

91ns/228ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

240ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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