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STGWT30H65FB

STGWT30H65FB

僅供參考

型號 STGWT30H65FB
PNEDA編號 STGWT30H65FB
描述 IGBT 650V 30A 260W TO3PL
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,700
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STGWT30H65FB資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STGWT30H65FB
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
STGWT30H65FB, STGWT30H65FB數據表 (總頁數: 20, 大小: 1,687.7 KB)
PDFSTGW30H65FB數據表 封面
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STGWT30H65FB規格

制造商STMicroelectronics
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)30A
電流-集電極脈沖(Icm)120A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 30A
功率-最大260W
開關能量151µJ (on), 293µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用149nC
25°C時的Td(開/關)37ns/146ns
測試條件400V, 30A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3P-3, SC-65-3
供應商設備包裝TO-3P

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 45A

功率-最大

297.6W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

58ns/131ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

90ns

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 30A

功率-最大

463W

開關能量

260µJ (on), 250µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

90nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/55ns

測試條件

400V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

290W

開關能量

1.13mJ (on), 310µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/115ns

測試條件

400V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

101A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 40A

功率-最大

543W

開關能量

795µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

145nC

25°C時的Td(開/關)

14ns/90ns

測試條件

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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