STGWT80H65DFB
僅供參考
| 型號 | STGWT80H65DFB |
| PNEDA編號 | STGWT80H65DFB |
| 描述 | IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 單價 | 請求報價 |
| 庫存 | 4,878 |
| 倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 預計交貨 | 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸) |
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STGWT80H65DFB資源
| 品牌 | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
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| 制造商零件編號 | STGWT80H65DFB |
| 類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-IGBT-單 |
| 數據表 |
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STGWT80H65DFB規格
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | - |
| IGBT類型 | Trench Field Stop |
| 電壓-集電極發射極擊穿（最大值） | 650V |
| 當前-集電極（Ic）（最大值） | 120A |
| 電流-集電極脈沖（Icm） | 240A |
| Vce（on）（Max）@ Vge，Ic | 2V @ 15V, 80A |
| 功率-最大 | 469W |
| 開關能量 | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| 輸入類型 | Standard |
| 門禁費用 | 414nC |
| 25°C時的Td（開/關） | 84ns/280ns |
| 測試條件 | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| 反向恢復時間（trr） | 85ns |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 安裝類型 | Through Hole |
| 包裝/箱 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 供應商設備包裝 | TO-3P |
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