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STH400N4F6-2

STH400N4F6-2

僅供參考

型號 STH400N4F6-2
PNEDA編號 STH400N4F6-2
描述 MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
制造商 STMicroelectronics
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庫存 8,568
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STH400N4F6-2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STH400N4F6-2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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STH400N4F6-2規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)180A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.15mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs404nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds20500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝H2Pak-2
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.7Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 600µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

35.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

37.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1172pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.5Ohm @ 750mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 63W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

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