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STI12NM50N

STI12NM50N

僅供參考

型號 STI12NM50N
PNEDA編號 STI12NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 25 - 十二月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STI12NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STI12NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STI12NM50N, STI12NM50N數據表 (總頁數: 19, 大小: 591.13 KB)
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STI12NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)11A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds940pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

114mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

600pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 42W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

8.3W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

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