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STI6N90K5

STI6N90K5

僅供參考

型號 STI6N90K5
PNEDA編號 STI6N90K5
描述 N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,036
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STI6N90K5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STI6N90K5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STI6N90K5, STI6N90K5數據表 (總頁數: 12, 大小: 716.58 KB)
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STI6N90K5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ K5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I2PAK
包裝/箱TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6290pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.75W (Ta), 300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263 (D2Pak)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

制造商

IXYS

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

645pF @ 10V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

TO-263HV

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.21mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

119nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2660pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

PG-TO247-3

包裝/箱

TO-247-3

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制造商

Micro Commercial Co

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.5A

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

900mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

482pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

51A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

880pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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