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STL10N60M6

STL10N60M6

僅供參考

型號 STL10N60M6
PNEDA編號 STL10N60M6
描述 N-CHANNEL 600 V 0.29 OHM TYP. 12
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,266
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL10N60M6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL10N60M6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL10N60M6, STL10N60M6數據表 (總頁數: 15, 大小: 788.87 KB)
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STL10N60M6規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs660mOhm @ 2.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.75V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds-
FET功能-
功耗(最大值)48W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

970pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 120µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

85nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4150pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

270W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

35.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

693pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

59.4W (Tc)

工作溫度

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FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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