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STL18N60M2

STL18N60M2

僅供參考

型號 STL18N60M2
PNEDA編號 STL18N60M2
描述 MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,742
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL18N60M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL18N60M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL18N60M2, STL18N60M2數據表 (總頁數: 15, 大小: 900.88 KB)
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STL18N60M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II Plus
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs308mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs21.5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds791pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2115pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16.5mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

72nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2130pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 2.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs(最大)

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