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STL31N65M5

STL31N65M5

僅供參考

型號 STL31N65M5
PNEDA編號 STL31N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,842
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL31N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL31N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL31N65M5, STL31N65M5數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,256.33 KB)
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STL31N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.8A (Ta), 15A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs162mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1865pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 125W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5600pF @ 15V

FET功能

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

42mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 25V

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.6A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 6.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

870pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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