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STL35N15F3

STL35N15F3

僅供參考

型號 STL35N15F3
PNEDA編號 STL35N15F3
描述 MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,334
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL35N15F3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL35N15F3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL35N15F3, STL35N15F3數據表 (總頁數: 17, 大小: 843.15 KB)
PDFSTL35N15F3數據表 封面
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STL35N15F3規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)33A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs49.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1905pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)80W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

430mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

690mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1370pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

250nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

51nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

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