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STL3N65M2

STL3N65M2

僅供參考

型號 STL3N65M2
PNEDA編號 STL3N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,622
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL3N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL3N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL3N65M2, STL3N65M2數據表 (總頁數: 12, 大小: 725.96 KB)
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STL3N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ M2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs5nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds155pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)22W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (3.3x3.3)
包裝/箱8-PowerVDFN

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.2mOhm @ 15A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

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2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 11A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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