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STL66N3LLH5

STL66N3LLH5

僅供參考

型號 STL66N3LLH5
PNEDA編號 STL66N3LLH5
描述 MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 23,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STL66N3LLH5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STL66N3LLH5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STL66N3LLH5, STL66N3LLH5數據表 (總頁數: 16, 大小: 950.26 KB)
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STL66N3LLH5規格

制造商STMicroelectronics
系列Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs5.8mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 4.5V
Vgs(最大)±22V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)72W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PowerFlat™ (5x6)
包裝/箱8-PowerVDFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

195mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

210pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 23W (Tc)

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安裝類型

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8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1060pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

49nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1969pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

40.3W (Tc)

工作溫度

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