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STP13NM50N

STP13NM50N

僅供參考

型號 STP13NM50N
PNEDA編號 STP13NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,262
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP13NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP13NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP13NM50N, STP13NM50N數據表 (總頁數: 18, 大小: 578.72 KB)
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STP13NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds960pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)100W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

900mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

363pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±18V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

760pF @ 480V

FET功能

-

功耗(最大值)

96W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

72A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

380nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9890pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

580W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.7V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

160pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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