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STP33N60DM2

STP33N60DM2

僅供參考

型號 STP33N60DM2
PNEDA編號 STP33N60DM2
描述 MOSFET N-CH 600V 24A
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 13,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP33N60DM2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP33N60DM2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP33N60DM2, STP33N60DM2數據表 (總頁數: 20, 大小: 912.98 KB)
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STP33N60DM2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DM2
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)24A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs43nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1870pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 170µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 500V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 580mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

155nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10680pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.7W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

47A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

330nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10290pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

7.3W (Ta), 156W (Tc)

工作溫度

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

100W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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