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STP4NK50Z

STP4NK50Z

僅供參考

型號 STP4NK50Z
PNEDA編號 STP4NK50Z
描述 MOSFET N-CH 500V 3A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,856
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 17 - 一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP4NK50Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP4NK50Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP4NK50Z, STP4NK50Z數據表 (總頁數: 23, 大小: 571.63 KB)
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STP4NK50Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds310pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta), 37W (Tc)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

280A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 120A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

420nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

600W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 800mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1230pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 31W (Tc)

工作溫度

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