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STP5N95K3

STP5N95K3

僅供參考

型號 STP5N95K3
PNEDA編號 STP5N95K3
描述 MOSFET N-CH 950V 4A TO-220AB
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,442
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP5N95K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP5N95K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP5N95K3, STP5N95K3數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,408.49 KB)
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STP5N95K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)950V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds460pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)90W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

115pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

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Nexperia

制造商

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系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

136nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9710pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

338W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220AB

包裝/箱

TO-220-3

IRF1405ZL-7PPBF

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 88A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5360pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

230W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 218µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.1nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

315pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

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FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta)

工作溫度

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