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STP6NM60N

STP6NM60N

僅供參考

型號 STP6NM60N
PNEDA編號 STP6NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 4.6A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,614
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 26 - 三月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP6NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP6NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP6NM60N, STP6NM60N數據表 (總頁數: 19, 大小: 692.71 KB)
PDFSTD6NM60N-1數據表 封面
STD6NM60N-1數據表 頁面 2 STD6NM60N-1數據表 頁面 3 STD6NM60N-1數據表 頁面 4 STD6NM60N-1數據表 頁面 5 STD6NM60N-1數據表 頁面 6 STD6NM60N-1數據表 頁面 7 STD6NM60N-1數據表 頁面 8 STD6NM60N-1數據表 頁面 9 STD6NM60N-1數據表 頁面 10 STD6NM60N-1數據表 頁面 11

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STP6NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.6A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 900mA, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 70µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

178pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23Ohm @ 40mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.4pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.8A (Ta), 24A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

530pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.9W (Ta), 18W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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