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STP85NF55

STP85NF55

僅供參考

型號 STP85NF55
PNEDA編號 STP85NF55
描述 MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 16,932
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STP85NF55資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STP85NF55
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STP85NF55, STP85NF55數據表 (總頁數: 17, 大小: 1,413.33 KB)
PDFSTB85NF55T4數據表 封面
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STP85NF55規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs150nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3700pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)300W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1170pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 40A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.5A (Ta), 20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.7W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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FET功能

-

功耗(最大值)

210W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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