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STPSC4H065DLF

STPSC4H065DLF

僅供參考

型號 STPSC4H065DLF
PNEDA編號 STPSC4H065DLF
描述 SILICON CARBIDE DIODES
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,492
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STPSC4H065DLF資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STPSC4H065DLF
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STPSC4H065DLF, STPSC4H065DLF數據表 (總頁數: 12, 大小: 405.46 KB)
PDFSTPSC4H065DLF數據表 封面
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STPSC4H065DLF規格

制造商STMicroelectronics
系列ECOPACK®2
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)650V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.55V @ 4A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr40µA @ 650V
電容@ Vr,F245pF @ 0V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PowerFlat™ (8x8) HV
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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1.3V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 400V

電容@ Vr,F

8.5pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

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Through Hole

包裝/箱

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

20ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 150V

電容@ Vr,F

18pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

90V

電流-平均整流(Io)

10A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電容@ Vr,F

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速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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