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STQ2NK60ZR-AP

STQ2NK60ZR-AP

僅供參考

型號 STQ2NK60ZR-AP
PNEDA編號 STQ2NK60ZR-AP
描述 MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 22,704
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STQ2NK60ZR-AP資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STQ2NK60ZR-AP
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STQ2NK60ZR-AP, STQ2NK60ZR-AP數據表 (總頁數: 16, 大小: 501.98 KB)
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STQ2NK60ZR-AP規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)400mA (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs10nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds170pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-92-3
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 20V

FET功能

-

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

500W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

85mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

305pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

93nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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