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STS25NH3LL

STS25NH3LL

僅供參考

型號 STS25NH3LL
PNEDA編號 STS25NH3LL
描述 MOSFET N-CH 30V 25A 8-SOIC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 7,128
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 27 - 一月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS25NH3LL資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS25NH3LL
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STS25NH3LL, STS25NH3LL數據表 (總頁數: 11, 大小: 313.05 KB)
PDFSTS25NH3LL-E數據表 封面
STS25NH3LL-E數據表 頁面 2 STS25NH3LL-E數據表 頁面 3 STS25NH3LL-E數據表 頁面 4 STS25NH3LL-E數據表 頁面 5 STS25NH3LL-E數據表 頁面 6 STS25NH3LL-E數據表 頁面 7 STS25NH3LL-E數據表 頁面 8 STS25NH3LL-E數據表 頁面 9 STS25NH3LL-E數據表 頁面 10 STS25NH3LL-E數據表 頁面 11

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STS25NH3LL規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ III
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)25A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.5mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID1V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 4.5V
Vgs(最大)±18V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4450pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.2W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

67nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

24A (Ta), 136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3970pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.1A (Ta), 147A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

930mW (Ta), 69.44W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

58mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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