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STS5N15F4

STS5N15F4

僅供參考

型號 STS5N15F4
PNEDA編號 STS5N15F4
描述 MOSFET N-CH 150V 5A 8SO
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS5N15F4資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS5N15F4
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STS5N15F4, STS5N15F4數據表 (總頁數: 11, 大小: 710.31 KB)
PDFSTS5N15F4數據表 封面
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STS5N15F4規格

制造商STMicroelectronics
系列DeepGATE™, STripFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs63mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs48nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2710pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1280pF @ 24V

FET功能

-

功耗(最大值)

900mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

6.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

264nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

13600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.2mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2320pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.6W (Ta), 160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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