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STS9P3LLH6

STS9P3LLH6

僅供參考

型號 STS9P3LLH6
PNEDA編號 STS9P3LLH6
描述 MOSFET PCH 30V 9A SO8
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 5,040
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STS9P3LLH6資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STS9P3LLH6
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STS9P3LLH6, STS9P3LLH6數據表 (總頁數: 13, 大小: 596.07 KB)
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STS9P3LLH6規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ H6
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)9A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs15mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2615pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.7W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝8-SO
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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800mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

87nC @ 8V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2970pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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