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STT3PF30L

STT3PF30L

僅供參考

型號 STT3PF30L
PNEDA編號 STT3PF30L
描述 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
制造商 STMicroelectronics
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庫存 5,994
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STT3PF30L資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STT3PF30L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STT3PF30L規格

制造商STMicroelectronics
系列STripFET™ II
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs7nC @ 4.5V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds420pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)1.6W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23-6
包裝/箱SOT-23-6

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

320mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1910pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

250W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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2.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

130mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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