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STTH4R02B-TR

STTH4R02B-TR

僅供參考

型號 STTH4R02B-TR
PNEDA編號 STTH4R02B-TR
描述 DIODE GEN PURP 200V 4A DPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 63,072
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH4R02B-TR資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH4R02B-TR
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH4R02B-TR, STTH4R02B-TR數據表 (總頁數: 14, 大小: 505.25 KB)
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STTH4R02B-TR規格

制造商STMicroelectronics
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝DPAK
工作溫度-結點175°C (Max)

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電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

電容@ Vr,F

8pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

400µA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 2A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

25ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

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當前-反向泄漏@ Vr

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電容@ Vr,F

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

300µA @ 65V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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