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STTH4R02SY

STTH4R02SY

僅供參考

型號 STTH4R02SY
PNEDA編號 STTH4R02SY
描述 DIODE GEN PURP 200V 4A SMC
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STTH4R02SY資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STTH4R02SY
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
STTH4R02SY, STTH4R02SY數據表 (總頁數: 14, 大小: 444.7 KB)
PDFSTTH4R02UY數據表 封面
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STTH4R02SY規格

制造商STMicroelectronics
系列Q Automotive
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)200V
電流-平均整流(Io)4A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.05V @ 4A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)30ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214AB, SMC
供應商設備包裝SMC
工作溫度-結點-40°C ~ 175°C

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電流-平均整流(Io)

5A (DC)

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

880mV @ 5A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 150V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.9V @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

120ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

320mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

2mA @ 15V

電容@ Vr,F

-

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

500V

電流-平均整流(Io)

4A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 4A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 500V

電容@ Vr,F

80pF @ 4V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

150ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

50pF @ 4V, 1MHz

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