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STU5N52K3

STU5N52K3

僅供參考

型號 STU5N52K3
PNEDA編號 STU5N52K3
描述 MOSFET N-CH 525V 4.4A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 57,858
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU5N52K3資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU5N52K3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STU5N52K3, STU5N52K3數據表 (總頁數: 23, 大小: 1,193.42 KB)
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STU5N52K3規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH3™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)525V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds545pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)70W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1965pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3205pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

212W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

+5V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5700pF @ 25V

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功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60pF @ 25V

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