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STU7N65M2

STU7N65M2

僅供參考

型號 STU7N65M2
PNEDA編號 STU7N65M2
描述 MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 21,096
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STU7N65M2資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STU7N65M2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STU7N65M2, STU7N65M2數據表 (總頁數: 18, 大小: 876.01 KB)
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STU7N65M2規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.15Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds270pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)60W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝IPAK (TO-251)
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3060pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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系列

-

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

400V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta), 55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 33A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 33µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1870pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 66W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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OptiMOS™

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 3mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

500nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

23000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

735W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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