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STW18NM80

STW18NM80

僅供參考

型號 STW18NM80
PNEDA編號 STW18NM80
描述 MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 4,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW18NM80資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW18NM80
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW18NM80, STW18NM80數據表 (總頁數: 21, 大小: 1,048.45 KB)
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STW18NM80規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs295mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2070pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)190W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.8mOhm @ 16.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.8mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2826pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.4W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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ON Semiconductor

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

52mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1258pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 21W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET功能

-

功耗(最大值)

38.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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