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STW26NM60N

STW26NM60N

僅供參考

型號 STW26NM60N
PNEDA編號 STW26NM60N
描述 MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 9,612
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 16 - 三月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW26NM60N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW26NM60N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW26NM60N, STW26NM60N數據表 (總頁數: 12, 大小: 781.67 KB)
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STW26NM60N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs165mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1800pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)140W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

42A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.9mOhm @ 42A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

127nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

Current Sensing

功耗(最大值)

272W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10.7mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17nC @ 5V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

19A (Ta), 89A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2670pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 63W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

175W (Tc)

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