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STW40N95DK5

STW40N95DK5

僅供參考

型號 STW40N95DK5
PNEDA編號 STW40N95DK5
描述 MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,544
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW40N95DK5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW40N95DK5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW40N95DK5, STW40N95DK5數據表 (總頁數: 14, 大小: 768.23 KB)
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STW40N95DK5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ DK5
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)950V
電流-25°C時的連續漏極(Id)38A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs130mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 100µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3480pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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技術

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

92nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1870pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 90µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

28W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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系列

HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

810pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

144W (Tc)

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

83W (Tc)

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FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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