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STW43NM50N

STW43NM50N

僅供參考

型號 STW43NM50N
PNEDA編號 STW43NM50N
描述 MOSFET N-CH 500V 37A TO-247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 6,804
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STW43NM50N資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STW43NM50N
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STW43NM50N, STW43NM50N數據表 (總頁數: 12, 大小: 479.95 KB)
PDFSTW43NM50N數據表 封面
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STW43NM50N規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ II
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs85mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs140nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4200pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)255W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247-3
包裝/箱TO-247-3

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.25mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6110pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

850mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

735pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

175mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 8µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

228pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1643pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

810mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

625W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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