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STWA45N65M5

STWA45N65M5

僅供參考

型號 STWA45N65M5
PNEDA編號 STWA45N65M5
描述 MOSFET N-CH 650V 35A TO247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,112
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 31 - 一月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STWA45N65M5資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STWA45N65M5
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
STWA45N65M5, STWA45N65M5數據表 (總頁數: 18, 大小: 1,268.71 KB)
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STWA45N65M5規格

制造商STMicroelectronics
系列MDmesh™ V
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs78mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs82nC @ 10V
Vgs(最大)±25V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3470pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)210W (Tc)
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247
包裝/箱TO-247-3

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

62A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 31A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

99nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7230pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

260W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

72W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

136A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

250W (Tc)

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功耗(最大值)

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