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STY30NK90Z

STY30NK90Z

僅供參考

型號 STY30NK90Z
PNEDA編號 STY30NK90Z
描述 MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 8,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

STY30NK90Z資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號STY30NK90Z
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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STY30NK90Z規格

制造商STMicroelectronics
系列SuperMESH™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)900V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs260mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs490nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds12000pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)450W (Tc)
工作溫度-65°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝MAX247™
包裝/箱TO-247-3

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta), 13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

94mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

985pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 41W (Tc)

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安裝類型

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FET類型

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40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

138nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4574pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 157A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.8mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

64nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4120pF @ 40V

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-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 166W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

93A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.5mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

270nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

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