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SUD40N08-16-E3

SUD40N08-16-E3 SUD40N08-16-E3

僅供參考

型號 SUD40N08-16-E3
PNEDA編號 SUD40N08-16-E3
描述 MOSFET N-CH 80V 40A TO252
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUD40N08-16-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUD40N08-16-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUD40N08-16-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)40A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs16mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs60nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1960pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 19W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.55Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

178W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220-3

包裝/箱

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制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

190mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

98nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3080pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

540mW (Ta), 6.25W (Tc)

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