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SUD50N02-06P-E3

SUD50N02-06P-E3

僅供參考

型號 SUD50N02-06P-E3
PNEDA編號 SUD50N02-06P-E3
描述 MOSFET N-CH 20V 50A TO252
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 2,520
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUD50N02-06P-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUD50N02-06P-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUD50N02-06P-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs30nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2550pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)6.8W (Ta), 65W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5280pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

203W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

46mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1015pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.88W (Ta), 60W (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

17.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1680pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

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漏極至源極電壓(Vdss)

150V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

86W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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