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SUD50N06-09L-E3

SUD50N06-09L-E3

僅供參考

型號 SUD50N06-09L-E3
PNEDA編號 SUD50N06-09L-E3
描述 MOSFET N-CH 60V 50A TO252
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 31,944
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 6 - 四月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUD50N06-09L-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUD50N06-09L-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUD50N06-09L-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs70nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2650pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 136W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.13W (Ta), 140W (Tc)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

364mOhm @ 4A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1.4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

36nC @ 18V

Vgs(最大)

+22V, -6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

667pF @ 800V

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130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 78A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

92pF @ 25V

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功耗(最大值)

2W (Tc)

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