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SUD50P04-08-GE3

SUD50P04-08-GE3

僅供參考

型號 SUD50P04-08-GE3
PNEDA編號 SUD50P04-08-GE3
描述 MOSFET P-CH 40V 50A DPAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 5,688
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUD50P04-08-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUD50P04-08-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUD50P04-08-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.1mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs159nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5380pF @ 20V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.3Ohm @ 2.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1550pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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850V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.6mOhm @ 45A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 17µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2340pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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