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SUM70090E-GE3

SUM70090E-GE3

僅供參考

型號 SUM70090E-GE3
PNEDA編號 SUM70090E-GE3
描述 MOSFET N-CH 100V 50A D2PK TO263
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 20,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM70090E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM70090E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUM70090E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列ThunderFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1950pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

125mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

N-Channel

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.5mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

128nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8035pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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