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SUM75N15-18P-E3

SUM75N15-18P-E3

僅供參考

型號 SUM75N15-18P-E3
PNEDA編號 SUM75N15-18P-E3
描述 MOSFET N-CH 150V 75A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 4,752
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 26 - 十二月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUM75N15-18P-E3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUM75N15-18P-E3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
SUM75N15-18P-E3, SUM75N15-18P-E3數據表 (總頁數: 6, 大小: 107.5 KB)
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SUM75N15-18P-E3規格

制造商Vishay Siliconix
系列TrenchFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)75A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4180pF @ 75V
FET功能-
功耗(最大值)3.12W (Ta), 312.5W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D2Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 260µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

902pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

106W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1050pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13.8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 430µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.7mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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