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SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3

僅供參考

型號 SUP90330E-GE3
PNEDA編號 SUP90330E-GE3
描述 MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,176
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

SUP90330E-GE3資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號SUP90330E-GE3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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SUP90330E-GE3規格

制造商Vishay Siliconix
系列ThunderFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)35.8A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)7.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs37.5mOhm @ 12.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs32nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1172pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)125W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0.9V, 2.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

69mOhm @ 1.5A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

800mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 2.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功耗(最大值)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

630mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.74nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

60.67pF @ 16V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Ta)

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

8V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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