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TC2320TG-G

TC2320TG-G

僅供參考

型號 TC2320TG-G
PNEDA編號 TC2320TG-G
描述 MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC2320TG-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC2320TG-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TC2320TG-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 3.9A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

120mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A, 36A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1037pF @ 15V

功率-最大

3.6W, 4.3W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 2.7V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.26V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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