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TC2320TG-G

TC2320TG-G

僅供參考

型號 TC2320TG-G
PNEDA編號 TC2320TG-G
描述 MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
制造商 Microchip Technology
單價 請求報價
庫存 2,754
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

TC2320TG-G資源

品牌 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號TC2320TG-G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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TC2320TG-G規格

制造商Microchip Technology
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds110pF @ 25V
功率-最大-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180mA, 100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 3V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

FET功能

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

-

工作溫度

-

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 10V

功率-最大

2.5W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

540mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.5nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

150pF @ 16V

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate, 1.2V Drive

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7.1pF @ 10V

功率-最大

120mW

工作溫度

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Surface Mount

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